[12a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12a-N305-9] シリコン空孔量子センサーによるSiCデバイス内電流誘起磁場の測定

〇山崎 雄一¹、増山 雄太¹、佐藤 真一郎¹、牧野 高紘¹、山田 尚人¹、佐藤 隆博¹、児島 一聡²、土田 秀一³、星乃 紀博³、大島 武¹ (1.量研、2.産総研、3.電中研)

キーワード：シリコン空孔、量子センシング、電流誘起磁場

炭化ケイ素(SiC)中のシリコン空孔(V_Si)は量子センサーとして機能し、磁場、温度を高精度・高空間分解能に測定することができる。本研究では、pnダイオード内部に流れる電流が誘起する磁場を光検出磁場共鳴法(ODMR)(=量子センシング)で測定した結果、電流誘起磁場に起因するODMR信号を検出した。