[12a-N307-1~11] 17.3 Layered materials

[12a-N307-4] Hole doping of WSe₂ by Ag-TFSI treatment

〇(M2)Shunta Suzuki¹, Hiroto Ogura¹, Yusuke Nakanishi¹, Hong En Lim¹, Takahiko Endo¹, Keiji Ueno², Yoshiyuki Nonoguchi³, Yasumitsu Miyata¹ (1.Tokyo Metro. Univ., 2.Saitama Univ., 3.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:Transition Metal Dichalcogenide, Carrier doping

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は、その優れた半導体特性やエレクトロニクス応用より、近年注目を集めている。TMDCに対する化学ドープによるキャリア制御は有効な手法の一つであり、汎用性の高い様々なドーパントの探索が重要な課題となっている。一方、有機半導体やCNTの研究では、Ag-TFSIが比較的安定なホールドーパントとして知られている。本研究では、このAg-TFSIを用いた多層WSe₂へのホールドーピングについて報告する。