[12a-N323-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12a-N323-2] 三塩化ホウ素ガスとモノメチルシランガスによる化学気相堆積

室井 光子¹、〇羽深 等¹ (1.横国大院理工)

キーワード：Si-B-C膜、SiH3CH3、BCL3

化学気相堆積（CVD）法において、シリコンにホウ素を高濃度に添加するために三塩化ホウ素ガスを用いる方法を提案し、800℃において三塩化ホウ素とジクロロシランガスを用いることにより、シリコン中の固溶限界（約１％以下）を大きく超えるホウ素を含む非晶質シリコン‐ホウ素膜を、毎分1μm前後の速度で製膜できることを報告[2]した。本報告では、三塩化ホウ素とモノメチルシランガスを用いて薄膜を形成することを試みたので、詳細を報告する。