[12a-N323-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12a-N323-3] 原子層堆積装置内の移動現象の解析と設計

〇謝 林生¹、羽深 等¹、牛川 治憲² (1.横国大院理工、2.ワッティー(株))

キーワード：ALD

マイクロエレクトロニクスデバイスの微細化を実現する方法の一つとして、原子層堆積（ALD）法が挙げられている。ALD法は、複雑な構造の上に原子層レベルで均一な厚さに製膜することができるものの、原子層単位の製膜であるために極めて長い時間を要し、生産性が低いことが欠点である。これらを解決するためには、装置内の流れと熱を解析し、最適化する設計が必要である。そこで本研究では、ALD装置の三次元数値計算モデルを作成して熱と流れを把握することを目的とした。