[12a-N323-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12a-N323-5] ミニマルシリコン CVD における三塩化ホウ素によるホウ素ドーピング

本宮 淳弘¹、〇加持 裕生¹、羽深 等¹、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院理工、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード：ミニマルCVD、SiH2Cl2、BCl3

ミニマル CVDにおいて用いるホウ素ドーピングガスとして、安全性と法令上の理由から三塩化ホウ素(BCl₃)ガスを用いることを提案[1]している。前報[2]では、ミニマル CVD 装置におい て、三塩化ホウ素ガスとジクロロシラン(SiH₂Cl₂)ガスによりシリコンとホウ素の混合膜を製膜可能であることを最初の結果として報告した。本報では、三塩化ホウ素ガス流量とホウ素ドープ濃度などの関係を調査した。