[12a-N323-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12a-N323-6] ミニマルファブ用ミラー磁場閉じ込めプラズマCVD装置によるジクロロシランガスを用いたシリコン窒化膜形成

〇後藤 哲也¹、小林 誠二²、クオン タイ²、薮田 勇気³、須川 成利¹、原 史朗^4,5 (1.東北大未来研、2.コーテック、3.誠南工業、4.産総研、5.ミニマル)

キーワード：シリコン窒化膜、ミニマル、プラズマCVD

ミニマルファブシステムに対応するミラー磁場閉じ込め型小型ECRプラズマ源を用い、シリコン窒化膜の低ダメージプラズマCVD成膜技術の開発を行っている。ミニマル装置内にガスソースを搭載可能な液体ガスであるジクロロシランと、窒素をプリカーサとして成膜を行った。成膜温度100℃でにおいて、熱CVD（750℃）と同等のフッ酸耐性を持つ膜を形成できた。