[12a-N323-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12a-N323-7] ミニマルファブにおけるトランジスタ構造と
オペアンプ特性に関する検討

〇浜本 毅司¹、加瀬 雅²、クンプアン ソマワン^1,2、原 史郎^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研)

キーワード：半導体、デバイス

本発表に於いては、アナログデバイスとして代表的なオペアンプを取り上げ、ミニマルファブのトランジスタ構造として、基板がシリコンウエハーであるBulk CMOSとSOI(Silicon on Insulator)であるSOI CMOSにおけるトランジスタ特性とオペアンプ特性の比較を行う。CMOSデバイス自体はBulk/SOIとも試作を終えているが、オペアンプはBulk CMOSが完成した段階であり、オペアンプ特性の比較はSPICEシミュレーションで行った。