[12a-N401-1~7] 11.1 基礎物性

[12a-N401-6] PLD法による鉄カルコゲナイド極薄膜超伝導体の作製

〇小林 友輝¹、小川 浩正¹、色摩 直樹¹、鍋島 冬樹¹、前田 京剛¹ (1.東大院総合)

キーワード：鉄カルコゲナイド超伝導体、薄膜

鉄カルコゲナイド超伝導体FeSeは，SrTiO3基板上に極薄膜を作製することで，界面効果によりTcが65 Kまで上昇すると言われている．界面効果によるTcの上昇は，これまで分子線エピタキシー法で作製した試料でのみ確認されおり，パルスレーザー堆積(PLD)法では未だ報告がない．そこで本研究ではPLD法によるFeSe極薄膜の作製とその輸送特性の評価を行ったのでその結果について報告する．