[12a-N406-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12a-N406-5] GaAsキャップ層成長速度の異なるInAs量子ドットの時間分解発光特性

〇和泉 蒼翼¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：半導体量子ドット、時間分解フォトルミネッセンス、キャリアダイナミクス

半導体量子ドット(QD)は、三次元方向の強い量子閉じ込め効果によりスピン光デバイスの活性層への応用が期待されている。本研究では、QDを埋め込むキャップ層の成長速度を変えたInAs QD単層試料を作製し、時間分解フォトルミネッセンス測定によりキャリアダイナミクスを評価するとともに、走査型透過電子顕微鏡測定によりQDのサイズ分布と組成を調べた。