[12a-N406-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[12a-N406-7] Photoluminescence emission from InAs / GaAs single quantum wells

〇Haruka Arita¹, Takashi Tsukasaki¹, Takuma Fujimoto¹, Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:InAs / GaAs, Photoluminescence, quantum well

InAsのバンドギャップエネルギーは小さいため、InAs / GaAs単一量子井戸は長波長の発光デバイスに応用される可能性がある。そこで、本研究では、フォトルミネッセンス測定を用いて井戸幅の狭いInAs/GaAs単一量子井戸を評価したので、その結果について報告する。