[12a-N406-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12a-N406-7] InAs / GaAs単一量子井戸からのフォトルミネッセンス発光

〇有田 晴香¹、塚崎 貴司¹、藤本 卓雅¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：InAs / GaAs、フォトルミネッセンス、量子井戸構造

InAsのバンドギャップエネルギーは小さいため、InAs / GaAs単一量子井戸は長波長の発光デバイスに応用される可能性がある。そこで、本研究では、フォトルミネッセンス測定を用いて井戸幅の狭いInAs/GaAs単一量子井戸を評価したので、その結果について報告する。