[12a-N406-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[12a-N406-9] Molecular beam epitaxial growth of photocathode structure AlGaAs/GaAs superlattice using As₂ over 700℃

〇Reiji Suzuki¹, Fumitaro Ishikawa¹, Anna Honda², Daiki Sato², Atsushi Koizumi², Tomohiro Nishitani^2,3, Masao Tabuchi⁴ (1.Ehime Univ., 2.Photo electron Soul, 3.Nagoya Univ. IMaSS, 4.Nagoya Univ. SRC)

Keywords:superlattice, photocathode

電子ビームは，電子顕微鏡や電子線描画など観測から加工まで幅広い学術・産業の基盤技術であり，光電効果を用いたフォトカソード技術の期待が高まっている．これまでに本研究では，室温フォトルミネッセンス(PL)強度とフォトカソード量子効率に有意な相関を見出した．今回は，高いPL強度を有するAlGaAs系分子線エピタキシャル成長に必要となる700℃以上の高温成長時のAs₂分子線供給条件が与える影響を検討した．