[12a-N406-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12a-N406-9] As₂を利用した700℃以上成長温度でのフォトカソード構造AlGaAs/GaAs超格子MBE成長

〇鈴木 玲士¹、石川 史太郎¹、本田 杏奈²、佐藤 大樹²、小泉 淳²、西谷 智博^2,3、田渕 雅夫⁴ (1.愛媛大工、2.フォトエレクトロンソウル、3.名古屋大IMaSS、4.名古屋大SRC)

キーワード：超格子、フォトカソード

電子ビームは，電子顕微鏡や電子線描画など観測から加工まで幅広い学術・産業の基盤技術であり，光電効果を用いたフォトカソード技術の期待が高まっている．これまでに本研究では，室温フォトルミネッセンス(PL)強度とフォトカソード量子効率に有意な相関を見出した．今回は，高いPL強度を有するAlGaAs系分子線エピタキシャル成長に必要となる700℃以上の高温成長時のAs₂分子線供給条件が与える影響を検討した．