[12a-S301-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12a-S301-7] 高濃度窒素ドープ CVD ダイヤモンドに作製したNV アンサンブルのスピン特性評価

〇(B)上田 真由¹、早坂 京祐¹、金久 京太郎¹、蔭浦 泰資^1,3、河合 空¹、大谷 和毅¹、上田 優樹¹、齋藤 悠太¹、谷井 孝至¹、小野田 忍²、磯谷 順一⁴、榎本 心平⁵、河野 省三⁵、川原田 洋^1,5 (1.早大理工、2.量研、3.NIMS、4.筑波大、5.早大材研)

キーワード：半導体、NVセンター、ダイヤモンド

ダイヤモンド中の NV アンサンブルは、磁気センシングへの応用が期待されている。特に、長いT₂を保ったまま高濃度な NV センターを作製することで磁気感度が向上する。CVD法により高濃度窒素ドープダイヤモンドを作製し、窒素濃度 5×10²⁰ cm^-3 を得た。さらに、透過型電子顕微鏡を用いて電子照射を行うことで NV アンサンブルの密度増加を試みた。電子照射の有無によりNVセンターの密度は 1.0×10¹⁶ cm^-3から最大2.6×10¹⁷ cm^-3へと増加した。