[12a-S401-1~8] 1.3 Novel technologies and interdisciplinary engineering

[12a-S401-3] Changes of Single- and Poly-crystalline Silicon Parts by Etching in Reactive Ion Etching Equipment

〇Tetsuyuki Matsumoto^1,2, Tetsuya Homma¹ (1.Shibaura Institute of Technology, 2.Kioxia)

Keywords:single-crystalline silicon, poly-crystalline silicon, surface roughness

反応性イオンエッチング（RIE）プロセスでは、上部電極に単結晶シリコン（単結晶Si）、多結晶シリコン（多結晶Si）を使う装置がある。単結晶Siと多結晶Siの試験片を準備し、ウエハーに貼り付けてプラズマ暴露し消耗量と表面粗さを比較した。単結晶Siは、多結晶Siより消耗量が少なく、プラズマ暴露後、単結晶Siの表面粗さは増加し、多結晶Siの表面粗さは減少することがわかった。