[12p-N101-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [12p-N101-10] Sputtered polycrystalline MgZnO as transparent electrode in deep ultraviolet light emitting diode for significant emission improvement

〇(M2)Taichi Matsubara¹, Nagata Kengo^1,2, Kushimoto Maki¹, Honda Yoshio³, Amano Hiroshi^3,4,5 (1.Graduate School of Engineering Nagoya Univ., 2.Toyoda Gosei Co., Ltd., 3.IMaSS, Nagoya Univ., 4.Akasaki RC, Nagoya Univ., 5.VBL, Nagoya Univ.)

Keywords:UV-LED, Transparent electrode, MgZnO

Ⅲ族窒化物半導体であるAlGaNを用いた深紫外線発光ダイオード(DUV-LED)は，殺菌・検知など幅広い分野での応用が期待されている．しかし，pコンタクト層に使用されるGaNが光吸収層となるため，光取り出し効率(LEE)が非常に低い．そこで，我々は深紫外光透過可能な酸化物材料MgZnOに着目し，GaNフリーの新規LED構造上の透明電極として使用することで発光出力の改善を試みた．