[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12p-N101-10] 深紫外LEDの発光出力向上に向けた多結晶スパッタリングMgZnO透明電極

〇(M2)松原 太一¹、永田 賢吾^1,2、久志本 真希¹、本田 善央³、天野 浩^3,4,5 (1.名大院工、2.豊田合成、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大赤﨑記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：紫外発光ダイオード、透明電極、MgZnO

Ⅲ族窒化物半導体であるAlGaNを用いた深紫外線発光ダイオード(DUV-LED)は，殺菌・検知など幅広い分野での応用が期待されている．しかし，pコンタクト層に使用されるGaNが光吸収層となるため，光取り出し効率(LEE)が非常に低い．そこで，我々は深紫外光透過可能な酸化物材料MgZnOに着目し，GaNフリーの新規LED構造上の透明電極として使用することで発光出力の改善を試みた．