[12p-N206-1~19] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [12p-N206-4] A ultraviolet-transparent conductor: rutile Ta-doped Sn_1-xGe_xO₂ thin films

〇(M2)Yo Nagashima¹, Yasushi Hirose¹, Masato Tsuchii¹, Michitaka Fukumoto¹, Tetsuya Hasegawa¹ (1.Tokyo Univ.)

Keywords:ultraviolet-transparent conductor, tin oxide, germanium oxide

我々は最近、代表的な透明導電体の母材料であるSnO₂にGeO₂を固溶すると光学ギャップが増大し、酸素空孔やTaなどのドナー不純物の導入により導電性が発現することを報告した。今回は、TaドープSn_1-xGe_xO₂エピタキシャル薄膜（Ta:SGO）の電気輸送特性を詳細に調べ、深紫外光まで利用可能な透明導電体として有望なことを見出したので報告する。