[12p-N206-1~19] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12p-N206-8] 室温でのパルスレーザー照射によるエピタキシャルβ-Ga₂O₃薄膜の作製とドーピングの影響

〇(M2)渡邉 一樹¹、甲斐 稜也¹、大賀 友瑛¹、金子 智^2,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化ガリウム、不純物ドープ、エキシマレーザーアニーリング

酸化ガリウム(Ga₂O₃)は、α～εの5つの多形を持ち、中でも熱力学的に最安定相であるβ型は約4.9 eVの広いバンドギャップをもつため、高速応答の深紫外光センサーや高耐圧なパワーデバイスなどへエピタキシャル薄膜の応用が期待されている。Ga₂O₃は、酸素空孔とドーパント補償などの要因から明確なp型伝導には未だ至っていない。本研究では、β-Ga₂O₃薄膜への低価数ドーピングによる特性制御を目的とし、1価イオンドーパントとしてLi⁺に着目してELA固相エピタキシャル結晶成長と構造・特性への影響について検討した。