[12p-N301-1~15] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [12p-N301-12] Growth of Hf_xZr_1-xO₂ Thin Films on rh-ITO Epitaxial Thin Films via Mist CVD Method

〇Kazuki Shimazoe¹, Yuki Fujiwara¹, Yuta Arata¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Masahiro Yoshimoto¹, Minoru Noda¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:Hafnium oxide, Mist CVD method, Ferroelectric

非鉛系で強誘電性を示す蛍石構造強誘電体材料として、酸化ハフニウム(HfO₂)が近年注目されている。強誘電体特性は準安定相であるorthorhombic相に起因するものであり、orthorhombic相を安定化させるために様々な検討が行われている。その中でも本研究ではZrを混晶化したHf_xZr_1-xO₂薄膜のエピタキシャル成長によるorthorhombic相の安定化に着目した。本研究は下地兼電極層として、rh-ITOエピタキシャル薄膜を利用し、その上へのHf_xZr_1-xO₂薄膜の成長に成功した。発表では、結晶成長に関するより詳細な調査や電気的特性の結果について発表する予定である。