[12p-N301-1~15] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [12p-N301-9] Electro-optic effect in epitaxial Y-doped HfO₂ ferroelectric thin film

〇Shinya Kondo^1,2, Reijiro Shimura³, Takashi Teranishi^1,3, Akira Kishimoto¹, Takanori Nagasaki², Hiroshi Fnakubo^3,4, Tomoaki Yamada^2,4 (1.Okayama Univ., 2.Nagoya Univ., 3.Tokyo Tech., 4.Tokyo Tech. MCES)

Keywords:electro-optic effect, HfO2, ferroelectric thin film

近年、強誘電体材料を用いた電気光学 (EO) デバイスを電気デバイスと光デバイスの相互接続のための光集積回路へ応用することが期待されている。従来EOデバイスにはLiNbO₃やBaTiO₃などが用いられてきたが、デバイスの作製プロセスの面では課題があり、より安価でシリコンフォトニクスに適用しやすい材料開発が必要である。そこで、我々はCMOSプロセスと親和性の高いHfO₂基強誘電体薄膜に着目し、(100)配向のY添加HfO₂ (Y-HfO₂) 膜において強誘電性に起因するEO係数を報告した。本発表では、(100)及び(111)配向のY-HfO₂薄膜をRFマグネトロンスパッタリング法で作製し、電気光学特性の評価を行ったので、その結果について報告する。