[12p-N303-1~11] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

△ [12p-N303-2] Gate tuning of the fractional quantum Hall states in InAs two-dimensional electron gas

〇(B)Soh Komatsu¹, Hiroshi Irie², Takafumi Akiho², Koji Muraki², Tsutomu Nojima³, Tatsushi Akazaki¹ (1.NIT, Kochi College, 2.NTT BRL, 3.IMR, Tohoku Univ.)

Keywords:fractional quantum hall effect, quantum well, InAs/AlGaSb heterostructure

分数量子ホール(FQH)状態と超伝導体の界面において，パラフェルミオンが生成されることが理論的に予測され，FQH-超伝導接合の研究が精力的に進められている。本研究では，InAs/AlGaSb量子井戸中の2DEGにおいてν = 1/3, 2/3, 4/3, 5/3状態を観測するとともに，明瞭なFQH状態の観測には量子井戸のポテンシャル形状制御が重要であることを見出したので報告する。