[12p-N303-1~11] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[12p-N303-4] Analysis of electric-field domain formations and carrier transport phenomena in GaAs/AlAs asymmetric double-quantum-well superlattices

〇(M1)Seiryu Nishiyama¹, Ryuto Murohara¹, Tomonori Matsui¹, Makoto Hosoda², Kouichi Akahane³, Naoki Ohtani¹ (1.Doshisha Univ., 2.Shizuoka Univ., 3.NICT)

Keywords:GaAs/AlAs multiple quantum well, semiconductor superlattice

本研究では，非対称2重量子井戸構造のフォトルミネッセンス特性の逆バイアス依存性の測定結果と，伝達行列法を用いたサブバンドエネルギーの計算値をもとに，素子内部電界分布とキャリア輸送解析を行った．学術講演会では，本構造において確認された共鳴トンネリングによるキャリア輸送に起因する，電界ドメインの形成の詳細について報告する．