The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[12p-N303-1~11] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

Sun. Sep 12, 2021 1:30 PM - 4:30 PM N303 (Oral)

Toshihiro Nakaoka(Sophia Univ.), Ryuichi Ohta(NTT)

3:15 PM - 3:30 PM

[12p-N303-7] Sinter Annealing induced Enhancement of PL Intensity from Si Quantum Dots

〇(M1)Koki Murakawa1, Takashi Aoki1, Toshiyuki Samejima2, Tomohisa Mizuno1 (1.Kanagawa Univ., 2.Tokyo Univ. Agri. Tech.)

Keywords:quantum-dot, Si, hot ion implantation

Si酸化膜中のSi量子ドット(Si-QD)におけるH2アニールのSiO2界面準位低減化によるPL特性への影響について検討した.Si量子ドットにおいて,H2アニールによる界面準位の軽減化によるPL強度の増大効果を確認できた.