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△ [12p-N303-7] Sinter Annealing induced Enhancement of PL Intensity from Si Quantum Dots
Keywords:quantum-dot, Si, hot ion implantation
Si酸化膜中のSi量子ドット(Si-QD)におけるH2アニールのSiO2界面準位低減化によるPL特性への影響について検討した.Si量子ドットにおいて,H2アニールによる界面準位の軽減化によるPL強度の増大効果を確認できた.