[12p-N303-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

△ [12p-N303-7] シンターアニールによるSi量子ドットのPL強度増大効果

〇(M1)村川 洸紀¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大理、2.東京農工大工)

キーワード：量子ドット、Si、ホットイオン注入

Si酸化膜中のSi量子ドット(Si-QD)におけるH₂アニールのSiO₂界面準位低減化によるPL特性への影響について検討した.Si量子ドットにおいて,H₂アニールによる界面準位の軽減化によるPL強度の増大効果を確認できた.