The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[12p-N305-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

Sun. Sep 12, 2021 1:30 PM - 5:15 PM N305 (Oral)

Kenji Shiojima(Univ. of Fukui), Kozo Makiyama(Sumitomo Electric Industries, Ltd.)

4:15 PM - 4:30 PM

[12p-N305-11] Reverse Recovery Characteristics of NiO/β-Ga2O3 Hetero pn Junction Diode

〇Shinji Nakagomi1, Koji Yano2 (1.Ishinomaki Senshu Univ., 2.Yamanashi Univ.)

Keywords:Ga2O3, NiO, diode

我々はp形伝導性を示す数少ない酸化物半導体NiOに着目し、NiOとβ-Ga2O3からなるヘテロpn接合ダイオードの開発を行っている。本研究では同ダイオードのスイッチング応答特性を評価したので報告する。L負荷のダブルパルス試験によって逆回復特性を測定し、順方向電流を増加しても逆方向の回復電流の波形が殆ど変化していないことが分かった。