2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:15 N305 (口頭)

塩島 謙次(福井大)、牧山 剛三(住友電工)

16:15 〜 16:30

[12p-N305-11] NiO/β-Ga2O3ヘテロpn接合ダイオードの逆回復特性

中込 真二1、矢野 浩司2 (1.石巻専修大理工、2.山梨大工)

キーワード:酸化ガリウム、酸化ニッケル、ダイオード

我々はp形伝導性を示す数少ない酸化物半導体NiOに着目し、NiOとβ-Ga2O3からなるヘテロpn接合ダイオードの開発を行っている。本研究では同ダイオードのスイッチング応答特性を評価したので報告する。L負荷のダブルパルス試験によって逆回復特性を測定し、順方向電流を増加しても逆方向の回復電流の波形が殆ど変化していないことが分かった。