[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-12] 窒素イオン注入した基板上への横型Ga₂O₃ MOSFETの作製

〇大槻 匠¹、東脇 正高¹ (1.情通機構)

キーワード：酸化ガリウム、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、窒素イオン注入

Ga₂O₃層を基板上に堆積させて横型の電界効果トランジスタ (FET) を作製するにあたり、大気中のケイ素 (Si) - 酸素 (O) 化合物に由来するSiが、Ga₂O₃基板とエピ層の界面に蓄積されることによって、界面でのリーク電流の原因となることが知られている。今回は、このSiの影響を補償する目的で、アクセプタとして働く窒素 (N) を基板表面近傍にイオン注入し、その上に横型Ga₂O₃ MOSFETを作製し、そのデバイス特性を評価したので報告する。