[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-14] HfO₂をゲート絶縁膜とする5.0 kV耐圧ノーマリーオフβ-Ga₂O₃ FinFET

〇脇本 大樹¹、林 家弘¹、ティユ クァン　トゥ¹、宮本 広信¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：ベータ-酸化ガリウム、縦型MOSトランジスタ、HfO2ゲート絶縁膜

我々はβ-Ga₂O₃の特徴を生かし、10 kV級耐圧を持つ低オン抵抗縦型MOSトランジスタ(FinFET)の実現を目指して開発している。過去に絶縁膜にHigh-κ HfO₂を用いたMOSキャパシタ構造において、耐圧7.1 kVが得られたこと、高濃度、薄膜のエピウエハを用いたFinFET構造において良好なオン抵抗、耐圧特性が得られたことを報告した。今回は低濃度、厚膜のエピウエハを用いてFinFETの作製を行い、既報値の1.9倍の5.0kV耐圧が得られたので報告する。