17:00 〜 17:15 [12p-N305-14] HfO2をゲート絶縁膜とする5.0 kV耐圧ノーマリーオフβ-Ga2O3 FinFET 〇脇本 大樹1、林 家弘1、ティユ クァン トゥ1、宮本 広信1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)