[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-3] 高濃度GeドープGaN基板によるp-n接合ダイオードの低オン抵抗化Ⅱ
～ 順方向電流アノード電極径依存の低減 ～

〇太田 博¹、浅井 直美¹、望月 和浩¹、堀切 文正²、成田 好伸²、三島 友義¹ (1.法政大学、2.サイオクス)

キーワード：p-nダイオード、GeドープGaN基板、アノード電極径依存性

高濃度GeドープGaN基板を用いたp-n接合ダイオードの順方向特性アノード電極径依存性について評価を行った。その結果、通常のSiドープ(2×10¹⁸ cm^-3)基板上p-nダイオードに比べ、Geドープ(6-8×10¹⁸ cm^-3)基板上p-nダイオードでは大口径化による電流密度の低下が小さくなった。以上より、基板の高濃度化はp-nダイオードの大口径化にも優位であることが明らかになった。