[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-4] MgドープGaN層の厚さを変えて電荷濃度を制御したp型GaN/AlGaN/GaNダイオードの耐圧特性

〇(M2)川田 宗一郎¹、Zhang Yuwei¹、岩田 直高¹ (1.豊田工大)

キーワード：窒化ガリウム

p型GaN/AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたスーパー接合の高耐圧化に向けて電荷のつり合いが求められる．我々は，p型GaN層の厚さを変えて電荷濃度を制御した．p型GaN層の厚さが50nm以上の場合，ドリフト領域長と耐圧の相関はなかったが，40nm以下の場合，ドリフト領域長の増加に伴って耐圧が向上した．これは，薄層化によるアクセプタの減少で電荷のつり合いに近づき，電界が均一化されたことを示唆する．