[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-5] 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaN上に形成したSiO₂/GaN MOSキャパシタの電気特性評価

和田 悠平¹、〇溝端 秀聡¹、野﨑 幹人¹、小林 拓真¹、細井 卓治¹、櫻井 秀樹²、加地 徹³、吉越 章隆⁴、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.ULVAC 先進研、3.名大未来材料・システム研究所、4.原子力機構)

キーワード：超高圧活性化熱処理、Mgイオン注入GaN、SiO2/GaN MOS

縦型GaNパワーデバイスの実現にはMgイオン注入技術が重要である。近年，超高圧活性化熱処理（UHPA）を施したMgイオン注入GaNにおいて，約80%の高いアクセプタ活性化率が報告されている。一方， UHPAを行ったGaNを用いたMOSデバイスの電気特性に関する報告はこれまで行われていない。本研究では，UHPAを施したGaN上に形成したSiO₂/GaN MOSキャパシタの電気特性について評価した。