[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-9] 選択ドーピングしたダイヤモンド電界効果トランジスタ

〇嘉数 誠¹、サハ ニロイ チャンドラ¹、金 聖祐²、大石 敏之¹ (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石(株))

キーワード：半導体、ダイヤモンド、FET

選択ドーピングしたダイヤモンドFETを考案し作製したので報告する。