[12p-N323-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12p-N323-5] ミニマルファブを活用したダイヤモンドSBDの試作と評価(IV)

〇渡辺 幸志¹、根本 一正¹、居村 史人¹、三浦 典子²、谷島 孝¹、野田 周一¹、梅澤 仁¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)

キーワード：ダイヤモンド、ショットキーバリアダイオード、ミニマルファブ

現在使用しているミニマルファブ規格のダイヤモンドウエハは、複数枚の板状の単結晶ダイヤモンドが横方向に接合されたモザイク状結晶からなる。接合部では転位や歪などの格子欠陥が高密度に集中しており、転位や歪などの格子欠陥の影響がミリ単位で広く影響を及ぼす物かどうかについては検討する価値がある。今回我々はウエハ内に存在するダイヤモンド単結晶接合部が電気的特性へ与える影響をSBDにより実際に評価したので報告する。