[12p-N323-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[12p-N323-9] Study of Piezo-resistive Accelerometer using Full Minimal Fab Process (2)

〇Hiroshige Kogayu¹, Hiroyuki Tanaka², Fumito Imura², Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST)

Keywords:MINIMAL, MEMS, Sensor

フルミニマルプロセスにてMEMSデバイスの一つであるピエゾ抵抗型一次元加速度センサを試作し、その基本特性を取得した。ピエゾ抵抗係数は不純物濃度との相関があることが知られており、今回はピエゾ抵抗素子の性能（ゲージ率）向上を目的として、p型ピエゾ抵抗のゲージ率と不純物濃度について検討を行なった。