[12p-N323-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12p-N323-9] ミニマルファブを用いたピエゾ抵抗型加速度センサの開発（２）

〇小粥 敬成¹、田中 宏幸²、居村 史人²、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ、2.産総研)

キーワード：ミニマル、MEMS、センサ

フルミニマルプロセスにてMEMSデバイスの一つであるピエゾ抵抗型一次元加速度センサを試作し、その基本特性を取得した。ピエゾ抵抗係数は不純物濃度との相関があることが知られており、今回はピエゾ抵抗素子の性能（ゲージ率）向上を目的として、p型ピエゾ抵抗のゲージ率と不純物濃度について検討を行なった。