[12p-N406-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-N406-2] GaPN混晶でのリン空孔を介した窒素起因点欠陥の消滅に関する理論的解析(2)

〇大根 駿¹、山根 啓輔¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：III-V-N混晶、点欠陥、第一原理計算

III-V-N混晶は窒素起因点欠陥がデバイスの特性悪化を引き起こすことが課題とされている。我々は第一原理計算によって、特性悪化を招く窒素起因点欠陥の最近接にリン空孔が存在する場合、リン空孔を介して窒素起因点欠陥の消滅が可能であることを報告してきた。本研究では、リン空孔が最近接にない場合に関して解析を行った。結論として、最近接ではなくてもリン空孔を介した窒素起因点欠陥の効率的な消滅を確認できた。