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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-N406-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2021年9月12日(日) 13:00 〜 16:15 N406 (口頭)

佐々木拓生(量研機構)、朝日重雄(神戸大)

13:30 〜 13:45

[12p-N406-3] (100) GaAs 基板上GaAsBi/GaAs 多重量子井戸評価用フォトリフレクタンス測定装置の構築と評価

〇林拓馬¹、清水彩花¹、行武幸将¹、下村哲¹ (1.愛媛大理工)

キーワード：GaAsBi