[12p-N406-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-N406-4] DLTS 法による n-GaAsBi 中の深い準位の評価

〇長谷川 将¹、Manuel Fregolent²、Matteo Buffolo²、Carlo Santi²、Gaudenzio Meneghesso²、Enrico Zanoni²、松村 惇太¹、西中 浩之¹、Matteo Meneghini²、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大、2.パドバ大学)

キーワード：半導体、結晶成長、深い準位