[12p-N406-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-N406-5] GaNAsBi/GaAs多重量子井戸構造のMBE成長

〇長谷川 将¹、川田 大夢¹、青木 竜哉¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大)

キーワード：半導体、多重量子井戸、分子線エピタキシー