[12p-N406-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [12p-N406-6] ラングミュアの吸着等温式に基づく低温成長GaAs_1-xBi_xの成長条件

〇(M2)梅西 達哉¹、高垣 佑斗²、富永 依里子^1,2、行宗 詳規³、石川 史太郎³ (1.広大院先進、2.広大院先端、3.愛媛大院理工)

キーワード：GaAs1-xBix、光伝導アンテナ

本研究では、光通信波長帯光源を用いたテラヘルツ時間領域分光法を実現するため、光伝導アンテナ (PCA) 用の半導体として、Bi系III-V族半導体混晶を提案している。最終的なPCA作製のため、現在はBi含有率xが6 - 8%の低温成長GaAs_1-xBi_xの成長をまず目標としている。本研究では、250 ˚Cで成長した際の成長条件とBi含有率の相関を成長前に割り出すことに成功したため報告する。