[12p-N406-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-N406-7] InP(311)B基板上のInAs量子ドット成長におけるBiサーファクタント効果

〇赤羽 浩一¹、松本 敦¹、梅沢 俊匡¹、山本 直克¹、富永 依里子²、菅野 敦史¹ (1.情通機構、2.広島大)

キーワード：量子ドット、ビスマス、サーファクタント

本研究ではBi照射のサーファクタント効果について、InP(311)B基板上におけるInAs量子ドット成長における影響について検討を行った。Bi照射によりInAs量子ドットの形状は大きく変化したが、成長時の基板温度により変化の形態が大きく異なった。