[12p-S101-1~15] FS.1 Focused Session "AI Electronics"

[12p-S101-6] Theoretical study on probability distribution of write error rate of voltage-controlled MRAM

〇Hiroko Arai¹, Takahiro Hirofuchi², Hiroshi Imamura¹ (1.AIST RCECT, 2.AIST DigiARC)

Keywords:write error rate, MRAM, probability distribution

メモリデバイスはこれまで高い信頼性が必須とされてきたが、深層学習などにおいてビット反転（エラー）耐性があることや、特性の異なるメモリを使い分ける手法の有用性が明らかとなりつつある。しかし、メモリデバイス上での空間的なエラー分布の基礎となるエラー率の確率分布は明らかとなっていない。本研究では、電圧駆動磁性メモリにおいて、加工ばらつきを想定した書き込みエラー率の確率分布に関する理論解析を行った。