[12p-S203-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12p-S203-6] ZrO_x/電極界面への SiO_x 層挿入による ReRAM 特性の改善

〇(M2)當山 啓斗¹、秋山 竜介¹、結城 賢采¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：抵抗変化メモリ