[12p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12p-S301-12] 高濃度ボロンドープ層導入による縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの電流密度向上化

〇太田 康介¹、新倉 直弥¹、行木 佑太¹、張 潤銘¹、角田 隼¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、縦型

本研究では、ソース接触抵抗R_Cの低減を狙い、ソース電極下に高濃度ボロンドープ(p++)層を備えた(001)縦型2次元正孔ガス(2DHG)ダイヤモンドMOSFETを初めて作製した。最大ドレイン電流密度I_D,max: 553 mA/mmを確認し、p++層を持たない同寸法デバイス(393 mA/mm)の値と比較して40 %以上高く、同L_SS では最大値を達成したため、報告する。