[12p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[12p-S301-2] ホウ素濃度の異なるp型(111)基板上に作製したダイヤモンドpinダイオードの発光特性の比較

〇横田 貴恒^1,2、本部 達也^1,2、竹内 大輔^1,2、牧野 俊晴²、加藤 宙光²、小倉 政彦²、庄司 一郎¹ (1.中央大、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド半導体、電子放出、エレクトロルミネッセンス

ダイヤモンドpinダイオードで観測される室温での真空中への電子放出は、p型(111)基板のドープ濃度によって電子放出効率が2桁以上異なる傾向が見られる。そこでキャリアの挙動を調査するため、高濃度p⁺⁺型基板と低濃度p型基板を用いた二種類のpinダイオードで室温でのエレクトロルミネッセンス測定を行った。この測定の結果と室温でのカソードルミネッセンス測定の結果との比較から、キャリアの拡散状況を論じる。