[12p-S301-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

△ [12p-S301-8] Diamond Schottky Barrier Diodes Fabricated on Using All-ion-implantation Process

〇Seiya Shigematsu¹, Seki Yuhei², Hoshino Yasushi², Nakata Jyoji², Oishi Toshiyuki¹, Kasu Makoto¹ (1.Saga Univ., 2.Kanagawa Univ.)

Keywords:Ion implantation, Diamond, Schottky barrier diode

全てイオン注入法でドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード（SBD）で整流特性を得た．このSBDは，ショットキー電極下に低濃度ドーピング領域があり，オーミック電極下に高濃度ドーピング領域があった．その結果，電流の整流比は1266であった．ショットキー障壁の高さは1.1 eV，理想係数は10，寄生抵抗は3.5×10⁸ Ωと求められた．