[12p-S301-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

△ [12p-S301-9] Normally-Off High-Mobility Diamond Transistor with a h-BN Heterostructure

〇(PC)Yosuke Sasama¹, Taisuke Kageura¹, Masataka Imura¹, Kenji Watanabe¹, Takashi Taniguchi¹, Takashi Uchihashi¹, Yamaguchi Takahide^1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)

Keywords:diamond, high mobility, transistor

これまでのダイヤモンドFETの多くは，表面アクセプターによって水素終端表面に誘起されるキャリアを利用していた．しかし，低移動度やノーマリーオン動作となる点に問題があった．本研究では，水素終端表面を大気に晒さずにh-BNゲート絶縁体を形成することによって表面アクセプター密度を低減したダイヤモンドFETを作製した．その結果，高い移動度，低オン抵抗，ノーマリーオフ動作を同時に実現することに成功した．