[12p-S302-1~17] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

▲ [12p-S302-9] Room-temperature spin diffusion length in strained SiGe

〇Takahiro Naito¹、Michihiro Yamada^2,3、Youya Wagatsuma⁴、Shinya Yamada^3,1、Kentarou Sawano⁴、Kohei Hamaya^3,1 (1.Osaka Univ. GSES、2.JST-PRESTO、3.Osaka Univ. CSRN、4.Tokyo City Univ.)

キーワード：spin diffusion length, SiGe, strain